ASML與台積電推動改用12英寸光罩，目標2031年建試產線、2033年支援先進節點量產
AI 市場總結
ASML 與 TSMC 正在協調業界轉向採用 12 吋光罩，以提升高 NA EUV 的產能、降低單位成本，並消除限制大型晶片（large dies）生產力的拼接（stitching）限制。Intel Foundry 與 Samsung 的支持提高了生態系統達成一致的可能性，但時間表延伸至 2031 年的試驗產線（pilot line）以及 2033 年的量產就緒（production readiness）。短期影響主要集中於對未來高 NA EUV 採用的預期，以及對設備路線圖依賴性的影響。
影響等級
● 中
主要受影響標的
NCSKASML2USD/USDT+0.72%
AI 觀點 · NCSKASML2USD/USDTAI 觀點
● 中性
立即交易
⚠️ AI觀點僅為演算法基於新聞內容的自動生成分析，不構成投資建議，不代表BingX立場。市場有風險，投資需謹慎。
ASML與台積電發起業界倡議，推動極紫外（EUV）光刻改用12英寸光罩，以提升高數值孔徑（highNA）EUV設備產能並降低成本。計劃目標是在2031年建立12英寸光罩試產線，並在2033年備妥支援先進製程節點量產的相關光刻系統。ASML表示，高NA EUV初期會沿用現有6英寸光罩，但轉向12英寸可移除拼接限制並提升晶圓廠生產力。
