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ASML與台積電推動改用12英寸光罩,目標2031年建試產線、2033年支援先進節點量產
ASML與台積電發起業界倡議,推動極紫外(EUV)光刻改用12英寸光罩,以提升高數值孔徑(highNA)EUV設備產能並降低成本。計劃目標是在2031年建立12英寸光罩試產線,並在2033年備妥支援先進製程節點量產的相關光刻系統。ASML表示,高NA EUV初期會沿用現有6英寸光罩,但轉向12英寸可移除拼接限制並提升晶圓廠生產力。
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