ASML e TSMC spingono per fotomaschere da 12 pollici per i chip di nuova generazione
Riepilogo di mercato AI
ASML e TSMC stanno coordinando una transizione del settore verso fotomaschere da 12 pollici per migliorare il throughput dell'EUV ad alta NA, ridurre i costi unitari ed eliminare i vincoli di stitching che limitano la produttività per die di grandi dimensioni. Il supporto di Intel Foundry e Samsung aumenta la probabilità di un allineamento dell'ecosistema, sebbene le tempistiche si estendano a una linea pilota nel 2031 e alla prontezza per la produzione nel 2033. L'impatto nel breve termine si concentra sulle aspettative per una futura adozione dell'EUV ad alta NA e sulle dipendenze della roadmap degli strumenti.
Livello dell'impatto
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ASML e TSMC hanno avviato un’iniziativa di settore per promuovere l’adozione di fotomaschere da 12 pollici, con l’obiettivo di aumentare la produttività delle macchine EUV ad alta NA e ridurre i costi. Il piano punta a realizzare una linea pilota per maschere da 12 pollici entro il 2031 e ad avere i sistemi di litografia pronti a supportare la produzione di nodi avanzati entro il 2033. Nelle prime fasi, l’EUV ad alta NA dovrebbe entrare in produzione con le attuali maschere da 6 pollici. Il passaggio alle maschere da 12 pollici potrebbe eliminare i vincoli di “stitching” e migliorare l’efficienza degli impianti, secondo ASML.