SK Hynix ส่งมอบตัวอย่างชิปหน่วยความจำ HBM4E แบบ 12 ชั้นให้ลูกค้ารายใหญ่

SK Hynix ได้ส่งมอบตัวอย่างชิปหน่วยความจำ HBM4E รุ่นใหม่แบบ 12 ชั้นให้กับลูกค้ารายใหญ่ โดยชิปดังกล่าวมีแบนด์วิดท์ 16Gbps/พิน และประหยัดพลังงานมากกว่ารุ่นก่อนหน้ามากกว่า 20%. ในฐานะซัพพลายเออร์หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงรายหลักของ Nvidia ความคืบหน้าของ HBM4E จาก SK Hynix มีบทบาทต่อจังหวะการยกระดับสมรรถนะและการผลิตในปริมาณมากของตัวเร่ง AI อย่าง H100 และ B100. บทความระบุว่า Micron และ Samsung เป็นคู่แข่ง แต่ไม่ได้ให้รายละเอียดความคืบหน้าของ HBM4E ของทั้งสองราย.