Samsung desarrolla un HBM4E apilado de 8 capas para Nvidia con velocidades objetivo de 17 a 18Gbps
Resumen del mercado generado por IA
El desarrollo por parte de Samsung de HBM4E de 8 capas a solicitud de Nvidia para la plataforma NVHBM (con objetivo de 17–18Gbps, ~20% m"ás r"ápido) pone de relieve la aceleraci"ón de la personalizaci"ón en la memoria para IA y respalda la hoja de ruta de la GPU Rubin Ultra del pr"óximo a"ño. La noticia es constructiva para la resiliencia de la cadena de suministro de Nvidia y sus ambiciones de rendimiento por vatio, al tiempo que se"ñala una competencia cada vez m"ás intensa en HBM de gama alta que podr"ía afectar el poder de fijaci"ón de precios y las din"ámicas de homologaci"ón.
Nivel de impacto
● Media
Activos afectados
NCSKNVDA2USD/USDT-0.48%
Ideas de IA · NCSKNVDA2USD/USDTIdeas de IA
▲ Alcista
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Samsung Electronics está desarrollando, a petición de Nvidia, un chip de memoria HBM4E apilado en 8 capas con una velocidad de transferencia objetivo de 17 a 18Gbps, alrededor de un 20% por encima de sus muestras actuales. El producto está previsto para la plataforma de memoria personalizada NVHBM de Nvidia y se espera que se integre en la GPU de IA Rubin Ultra que se lanzará el próximo año. La arquitectura de 8 capas refleja un cambio en el diseño de chips de IA hacia un equilibrio entre ancho de banda, consumo energético y rendimiento de fabricación. Por su capacidad integrada para producir DRAM y los “base dies” lógicos, Samsung es vista con ventaja frente a SK Hynix y Micron en el mercado de HBM a medida.
