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hace 6h
Samsung desarrolla un HBM4E apilado de 8 capas para Nvidia con velocidades objetivo de 17 a 18Gbps
Samsung Electronics está desarrollando, a petición de Nvidia, un chip de memoria HBM4E apilado en 8 capas con una velocidad de transferencia objetivo de 17 a 18Gbps, alrededor de un 20% por encima de sus muestras actuales. El producto está previsto para la plataforma de memoria personalizada NVHBM de Nvidia y se espera que se integre en la GPU de IA Rubin Ultra que se lanzará el próximo año. La arquitectura de 8 capas refleja un cambio en el diseño de chips de IA hacia un equilibrio entre ancho de banda, consumo energético y rendimiento de fabricación. Por su capacidad integrada para producir DRAM y los “base dies” lógicos, Samsung es vista con ventaja frente a SK Hynix y Micron en el mercado de HBM a medida.