長鑫存儲擬進軍NAND快閃記憶體 劍指三星、SK海力士及長江存儲
AI 市場總結
路透報道，中國的長鑫存儲（CXMT）計劃進入 NAND 快閃記憶體市場，將業務從 DRAM 延伸，並可能在長期內加大對現有廠商（三星、SK 海力士、美光、長江存儲（YMTC））的競爭壓力。短期市場影響受限於生產時間表仍不明朗，以及在 AI 伺服器驅動的記憶體供應緊張之下，行業資本開支偏向 DRAM/HBM。儘管如此，與客戶的討論以及 IPO 融資顯示其戰略意圖，或可影響板塊定位與供應預期。
影響等級
● 中
主要受影響標的
NCSKSKHYNIX2USD/USDT+0.04%
AI 觀點 · NCSKSKHYNIX2USD/USDTAI 觀點
● 中性
立即交易
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ChainCatcher引述路透社消息人士報道，長鑫存儲（CXMT）正籌備切入NAND快閃記憶體晶片市場，計劃在以DRAM為核心業務之外拓展版圖，與三星電子、SK海力士、美光（Micron）及長江存儲（YMTC）等競爭。
消息指，長鑫存儲擬在北京新廠建立NAND研發生產線，並在北京設立研究院，納入NAND研發項目。公司已就相關規劃與客戶溝通，包括一家計劃為AI系統及超級電腦採購晶片的初創企業。
目前研發線何時投產、以及何時能展開大規模商業化生產仍未明朗。報道亦提到，在AI伺服器需求帶動下，全球記憶體供應緊張料至少延續至2027年。各大廠商資本開支優先投向DRAM及HBM，令NAND產能擴張受限。
此外，長鑫存儲於7月IPO集資人民幣579.2億元；長江存儲則於2022年被列入美國"實體清單"（Entity List）。
