UBS nâng mạnh dự báo giá DRAM khi nhu cầu bộ nhớ vượt nguồn cung 17 điểm đến năm 2027
Tóm tắt thị trường bằng AI
UBS đã tăng mạnh kỳ vọng giá bộ nhớ quý 3 (DRAM +32% q/q; NAND +30%), củng cố quan điểm của TrendForce rằng tình trạng thiếu hụt vẫn tiếp diễn. Khoảng cách cung-cầu dự kiến nới rộng (nhu cầu 2027 +36,2% so với nguồn cung +19,3%) hàm ý tình trạng khan hiếm kéo dài đến năm 2028, hỗ trợ các kỳ vọng về doanh thu và biên lợi nhuận cho các nhà sản xuất bộ nhớ và các rổ ngành liên quan. Trọng tâm ngắn hạn có khả năng là các cập nhật về giá hợp đồng và các động lực tài trợ capex của các hyperscaler.
Mức ảnh hưởng
● Trung bình
Tài sản bị ảnh hưởng
NCSKSKHYNIX2USD/USDT+10.68%
Quan điểm AI · NCSKSKHYNIX2USD/USDTQuan điểm AI
▲ Giá tăng
Khám phá ngay
⚠️ Nhận định từ AI được tổng hợp từ tin tức và chỉ có giá trị tham khảo. Đây không phải là lời khuyên đầu tư và không thể hiện quan điểm của BingX. Đầu tư luôn đi kèm rủi ro. Vui lòng giao dịch có trách nhiệm.
UBS nâng dự báo mức tăng giá DRAM trong Q3 theo quý từ 17% lên 32%, còn NAND từ 17% lên 30%. TrendForce cũng dự báo giá DRAM trong Q3 tăng 18% theo quý và NAND tăng 15%. UBS cho biết khoảng cách cung–cầu nới rộng, với nhu cầu năm 2027 tăng 36.2% trong khi nguồn cung chỉ tăng 19.3%, và tình trạng thiếu hụt được dự báo kéo dài đến Q2 2028. Việc điều chỉnh dự báo giá được xem là yếu tố hỗ trợ các nhà sản xuất chip nhớ và các quỹ Memory ETF theo dõi nhóm này.
