ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์เลือกใช้กระบวนการ 3 นาโนเมตรของ TSMC ผลิต Base Die สำหรับ NVHBM ตามคำขอของ Nvidia
สรุปภาพรวมตลาดด้วย AI
Nvidia ผลักดัน Samsung ให้หันไปใช้กระบวนการ 3nm ของ TSMC สำหรับ base die ของ NVHBM ส่งสัญญาณว่าสแต็ก HBM เจเนอเรชันถัดไปต้องพึ่งพากำลังการผลิตของฟาวน์ดรีล้ำสมัยมากขึ้น ซึ่งเสริมความแข็งแกร่งให้ตำแหน่งเชิงกลยุทธ์ของ TSMC ในห่วงโซ่อุปทาน AI นอกจากนี้ยังชี้ให้เห็นข้อจำกัดด้านกำลังการผลิต โดย Samsung กำลังชั่งน้ำหนักการผลิตภายในบริษัทเป็นแผนสำรอง นัยที่ส่งผ่านเป็นบวกต่อ TSMC และความต้องการอุปกรณ์สำหรับโหนดขั้นสูง ตอกย้ำโมเมนตัมการใช้จ่ายด้านทุนในเซมิคอนดักเตอร์ที่ขับเคลื่อนโดย AI
ระดับผลกระทบ
● ปานกลาง
สินทรัพย์ที่ได้รับผลกระทบ
NCSKTSMU2USD/USDT-0.27%
ข้อมูลเชิงลึกจาก AI · NCSKTSMU2USD/USDTข้อมูลเชิงลึกจาก AI
▲ ขาขึ้น
เทรดตอนนี้
⚠️ ข้อความเชิงลึกนี้สร้างขึ้นโดย AI โดยอ้างอิงจากเนื้อหาข่าวเพื่อใช้เป็นข้อมูลอ้างอิงเท่านั้น ไม่ถือเป็นคำแนะนำในการลงทุนหรือสะท้อนทัศนะของ BingX การลงทุนมีความเสี่ยง โปรดซื้อขายด้วยความระมัดระวัง
ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ตัดสินใจใช้กระบวนการ 3 นาโนเมตรของ TSMC ในการผลิต base die สำหรับ NVHBM ตามคำขอของ Nvidia บริษัทกำลังประเมินด้วยว่าอาจใช้สายการผลิตฟาวด์รีของตนเองผลิตชิ้นส่วนดังกล่าวภายในองค์กร หากความต้องการ NVHBM สูงเกินกำลังการผลิตของ TSMC การตัดสินใจครั้งนี้สะท้อนการพึ่งพากระบวนการผลิตขั้นสูงที่เพิ่มขึ้นของชิปหน่วยความจำประสิทธิภาพสูง
