サムスン、NVIDIA向け8層HBM4Eを開発 転送速度は最大18Gbpsを目標
AI マーケットサマリー
NvidiaのNVHBMプラットフォーム向けに、SamsungがNvidiaの要請を受けて8層HBM4E（17～18Gbpsを目標、約20%高速）の開発を進めていることは、AIメモリにおけるカスタマイズの加速を浮き彫りにし、来年のRubin Ultra GPUに向けたロードマップを支える。今回のニュースは、Nvidiaのサプライチェーンの強靭性と性能/ワットの目標にとって前向きである一方、高級HBMにおける競争激化を示唆しており、価格決定力や認定のダイナミクスに影響を及ぼし得る。
影響度
● 普通
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サムスン電子はNVIDIAの要請を受け、8層積層のHBM4Eメモリを開発しており、転送速度は17～18Gbpsを目標としている。これは同社の現行サンプルに比べて約20%高い。製品はNVIDIAのカスタムメモリ基盤「NVHBM」向けで、来年投入予定の「Rubin Ultra」AI GPUへの統合が見込まれる。8層構成は、AIチップ設計が容量拡大一辺倒から、帯域・消費電力・歩留まりの均衡最適化へと移る流れを示している。
