ASML và TSMC thúc đẩy dùng quang nạ 12 inch cho chip tiến trình nhỏ hơn, đặt mục tiêu thử nghiệm năm 2031
ASML và TSMC khởi xướng một sáng kiến toàn ngành nhằm chuyển sang quang nạ (photomask) 12 inch để tăng năng suất hệ thống quang khắc EUV khẩu độ số cao (high-NA) và giảm chi phí. Kế hoạch đặt mục tiêu xây dựng dây chuyền thử nghiệm quang nạ 12 inch vào năm 2031 và đến năm 2033 có hệ thống quang khắc sẵn sàng hỗ trợ sản xuất hàng loạt cho các nút tiến trình tiên tiến. Ở giai đoạn đầu, high-NA EUV vẫn dùng quang nạ 6 inch, nhưng chuyển sang 12 inch có thể loại bỏ hạn chế ghép (stitching) và cải thiện hiệu suất nhà máy, theo ASML.