Stocks - Investing and trading for all
6ч. назад
Samsung разрабатывает 8-слойную HBM4E для Nvidia со скоростью передачи 17–18 Gbps
Samsung Electronics по запросу Nvidia разрабатывает 8-слойный стековый чип памяти HBM4E с целевой скоростью передачи 17–18 Gbps, что примерно на 20% выше текущих образцов. Продукт предназначен для кастомной платформы памяти Nvidia NVHBM и, как ожидается, будет интегрирован в AI‑GPU Rubin Ultra, запуск которого намечен на следующий год. 8-слойная архитектура отражает сдвиг в проектировании AI‑чипов от простого наращивания емкости к сбалансированной оптимизации пропускной способности, энергопотребления и выхода годной продукции. Благодаря интегрированной возможности выпускать и DRAM, и логические базовые кристаллы Samsung рассматривают как имеющую преимущество над SK Hynix и Micron на рынке кастомной HBM, а успешная валидация может помочь сократить разрыв со SK Hynix в сегменте high-end HBM.