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Il y a 6 h
Samsung développe une HBM4E empilée en 8 couches pour Nvidia, avec un débit visé de 17 à 18Gbps
Samsung Electronics développe, à la demande de Nvidia, une puce mémoire HBM4E empilée en 8 couches visant des vitesses de transfert de 17 à 18Gbps, soit environ 20% de plus que ses échantillons actuels. Le produit est destiné à la plateforme mémoire sur mesure NVHBM de Nvidia et devrait être intégré au GPU d’IA Rubin Ultra dont le lancement est prévu l’an prochain. Cette architecture en 8 couches illustre l’évolution de la conception des puces d’IA, qui privilégie désormais un compromis entre bande passante, consommation d’énergie et rendement, plutôt qu’une simple augmentation de capacité. Grâce à sa capacité intégrée à produire à la fois de la DRAM et des dies de base logiques, Samsung est considéré comme avantagé face à SK Hynix et Micron sur le marché de la HBM personnalisée.